FD-SOI迈向10nm以下
全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)技术凭借其卓越的性能和能效，已成为全球众多关键玩家的首选。在通信领域，FD-SOI因其优异的射频（RF）特性广泛应用于5G毫米波（mmWave）和5G sub-6 GHz频段，支持移动基础设施和WiFi 6等高速无线通信标准。
10nm
14nm和10nm节点上的技术总结和器件结构简要分析和对比
A Quick look at 14-nm and 10-nm Devices，由Siliconics的Dick James撰写，主要对全球主要半导体制造厂商在14nm和10nm工艺节点上的技术进展和器件结构进行了简要分析和对比。
10nm超薄薄膜省铟90%，性能还不打折扣？
铟资源成了“卡脖子”的难题，它作为透明导电薄膜（TCO）的核心原料，氧化铟基TCO虽兼具高透光和高导电特性，却始终逃不开“厚度依赖陷阱”。即想减薄省铟，载流子迁移率就暴跌；要保性能，又得用厚膜浪费资源。